赚钱

　　随着近年来我国我国的发展，美国在世界的“领头羊”的地位可谓是有些动摇，在中俄的的压力下一直持续到如今，美国在国际上的话语权、地位逐渐被瓜分。特别是一些像伊朗、巴基斯坦等小国新兴势力的崛起，已经开始逐步缩小。并且美国为了阻止这些国家的崛起威胁其自身，频繁地在国际上高举制裁大旗向中俄施压。在芯片领域；芯片是现代科技企业必不可少的产品，直接决定了科技产品的价值和性能，因此中国每年光是进口芯片每年都超过几千亿美元，从而满足国内市场的需求；而俄罗斯芯片90％依赖进口这无疑造成了两个国家的美国的抵抗压力下举步维艰。

　　但是，随着中国科技企业的发展，中国产品走向世界，这对西方国家来说，是不可接受的，也是他们不愿意接受的，于是就进行釜底抽薪，直接切断“芯片”供应，导致“芯片荒”在全球市场蔓延。尤其是现在，中国在芯片领域被欧美国家“卡住了脖子”，为确保在这一领域的绝对地位和对中国技术的压制，他们开始肆意封锁芯片，一些稍先进的芯片也不能流入中国。而且就在最近，据美国权威媒体路透社报道，美国政府将加大对华为的制裁和打击力度，除了不让5nm、7nm的芯片流入中国之外，即使是美国官员也希望14nm及以下的芯片不得出口到中国。即便是国内芯片设计首屈一指的华为公司，也只能依赖于台积电的帮助。荷兰、德国等目前技术领先的国家，要想实现光刻技术，就必须寻找稳定的光波和紫外光，这不仅需要先进的设备，更需要强大的技术基础。

　　“芯片之战”中国并非没有还手之力

　　对大多数人来说，光刻机技术还比较陌生，但无论在智能手机、互联网通讯还是航空航天技术等领域，光刻机都扮演着重要角色。光刻机技术被认为是半导体工业的一大创举。光刻机技术其实是在晶圆介质被广泛使用的基础上应运而生的，晶圆作为各种电脑芯片、智能手机芯片的基础材料，那么如何把电子信息刻录到各种晶圆上便成为了芯片制造商们的最大难题，而这个难题最后通过光刻机技术完美解决了。

　　荷兰的ASML已经能够生产出用于5nm芯片制造的光刻机，而中国的最高水平仍在90nm节点上，与5nm节点相比，差距至少有10年或更长。其中最重要的两个元件似乎就是光源、镜头了，目前激光源主要是美国生产的，而镜头则是德国、日本提供的。但这两个重要元件其实也并不那么重要，因为并没有限制出口，基本上大家都是能够买到的。但是中国有在光刻机领域的一种核心材料——KBBF晶体；参与研发的是中科院旗下上市公司福晶科技；

　　福晶的主要产品，就是激光晶体与非线性光学晶体，属于激光设备的上游关键零部件，LBO、BBO、KTP等全系列的非线性光学晶体。其中，LBO晶体全球市场占比60%，BBO晶体全球市场市占率40%，龙头地位不可撼动。

　　晶体材料KBBF是光刻机的重要上游原料，它可以将激光转化为176纳米波长的激光，因此KBBF可以用于深紫外固体激光。简单地说，就是能够以最低的材料成本获得深紫外光源，是现阶段全球唯一能够立即存储超频，造成深紫外线激光的非线性光学晶体。是使用暗紫外激光光源可以制造出高分辨率的物理探测观测设备，并且可以使现有光刻机的精度提高10倍以上，这是生产CPU的必要条件。

　　该晶体还可以用来制作超高分辨率的光电能谱仪、超导测量、光刻技术等前沿科学研究，对微纳米加工、生物医学、激光电视等未来发展具有深远影响。一开始，福晶科技并未对外禁售KBBF晶体，但后来发现，这种技术影响力实在是太大了，如果美国掌握这种技术，将会有非常不利的影响，于是2009年，福晶科技正式对美禁售KBBF晶体。

　　2016年，美国的APC公司宣布，KBBF晶体研制成功，打破了中国自2009年以来的技术封锁。换句话说，在KBBF晶体这一核心零件的研发方面，从1990年KBBF晶体诞生，到美国企业追上中国技术，美企至少落后了15年。目前，KBe2BO3F2（KBBF）是唯一能实际输出深紫外激光的非线性光学（NLO）晶体，但是，KBBF含剧毒铍元素且其晶体层状生长习性严重，因此，急需探索新型深紫外NLO晶体材料。当美企为研究出KBBF晶体欢呼庆祝之时，国内学术界却再次实现了领先。早在2015年，国内学术界便表示新一代晶体材料LSBO被发现，比KBBF晶体的性能表现更优秀，“中国牌晶体”再一次实现了领先。从很大程度上来说，这说明中国的科技实力已经达到了世界领先水平，中国现在可以在某个领域垄断核心技术了。

　　“芯”百姓苦，亡，也是百姓苦。

　　国内光刻机制造技术与国际先进水平存在较大差距。尽管武汉光电研究中心突破了9纳米光刻技术，但其关键部件、材料等仍不能满足量产的要求。同样，美国封锁我们的芯片，也是在倒逼我们的芯片企业，如果不拿出点实际的东西来，光是拿补贴也不行，只有在技术和市场的刺激下，才能推动国产芯片的全面发展，摆脱被“卡脖子”的命运。

上一篇：

下一篇：