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　　据报道，三星宣布，3nm制程技术已经正式流片。据介绍，三星的3nm制程采用的是GAA架构，性能优于台积电的3nm FinFET架构。三星在3nm制程的流片进度与新思科技合作完成，目的在于加速为GAA架构的生产流程提供高度优化的参考方法。三星的3nm制程采用不同于台积电或英特尔所采用的FinFET的架构，采用GAA结构。因此，三星采用了新思科技的Fusion Design Platform。

（文章来源：创业邦）

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